美光推出176层3D NAND

美国半导体公司美光科技（Micron Technology）宣布推出全球首个176层3D NAND闪存。

美光宣布了其176层3D NAND闪存的详细信息，其512Gbit裸片尺寸比竞争对手减少了30％，并通过开放的NAND闪存接口ONFI总线实现了1600 MT / sec的速度。这两项技术的进步还表明，与公司的96层3D NAND相比，它们实现了35％以上的读取和写入，改进的延迟和15％的混合工作负载。

128层3D NAND所采用的3D NAND替换门技术极大地推动了该技术的发展。据报道，这种176层3D NAND能够通过使用该技术降低金属控制门之间的电阻来改善单元之间的容量和耦合问题，并实现具有快速，高性能的大型数据存储系统。

这次宣布的176层3D NAND已经开始生产，预计将安装在Crucial将于2021年发布的消费类SSD中。美光公司生产的176层3D NAND SSD尚未宣布，可以看出。今年的出货量很少。从2021年起，预计将从目前的128层3D NAND迁移到176层。

生产3D NAND的三星电子，SK Hynix和YMTC仍处于128层阶段，但三星电子宣布到2021年4月将达到176层。相关信息可在此处找到。